第十五届中国国际半导体照明论坛暨2018国际第三代半导体论坛在深圳盛大开幕

 

       2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛暨2018国际第三代半导体论坛开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以“创芯聚智 共享生态”为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。

       本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区人民政府主办，国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持，深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

 

 

       作为半导体照明领域年度国际盛会，中国国际半导体照明（SSLCHINA）系列论坛到今年已是第十五届，其已发展成为半导体照明领域最具规模、参与度最高、口碑最好的全球性专业论坛。更是行业发展的风向标，引领全球半导体照明产业发展新趋势。国际第三代半导体论坛（IFWS）则是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，是前瞻性、全球性、高层次的综合性论坛。在延续往届成功经验基础之上，两大盛会交相辉映，将热点前沿一网打尽，合力为业界献上一场年度饕餮大餐。

 

       大会由全国政协教科卫体委员会副主任、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导委员会主任、国际半导体照明联盟（ISA）主席曹健林担任大会中方主席，美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授、2014年诺贝尔物理学奖得主中村修二与美国国家工程院院士、加州大学教授、Transphorm联合创始人Umesh Mishra共同担任大会外方主席。半导体照明联合创新国家重点实验室主任、国家半导体照明工程研发与产业联盟研发执行主席李晋闽主持了开幕环节。

       出席开幕式的领导嘉宾有：大会主席、2014年诺贝尔物理学奖得主、美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二，大会主席、美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm董事长Umesh Mishra，中国科学院院士、南京大学电子科学与工程学院教授郑有炓，中国工程院院士、北京有色金属研究总院名誉院长屠海令，中国工程院院士、中车株洲电力机车研究所有限公司董事长丁荣军，国家科学技术部高新技术及产业化司副司长曹国英，国家节能中心副主任杨博，广东省科技厅副厅长李旭东，深圳市人民政府副秘书长刘佳晨，深圳市科技创新委主任梁永生，深圳市龙华区委常委、区政府常务副区长、党组副书记张纳沙，大会程序委员会主席、厦门大学校长张荣，深圳第三代半导体研究院院长赵玉海，悉尼大学教授、澳大利亚和新西兰照明工程学会前副主席Warren Julian，美国智能照明工程技术研究中心主任、美国伦斯勒理工学院教授Robert KARLICEK，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲。

 

       此外来自科技部、发改委、广东省科技厅、深圳市人民政府、深圳市科创委和北京市顺义区、张家港、杭州、长治、石家庄等地发改委、科技局及高新产业园区等政府部门代表，来自北京、天津、宁波、厦门、广州、深圳等地的行业组织代表，来自海内外半导体照明及第三代半导体及相关领域的知名专家学者、企业领袖、行业组织领导、投资机构以及数十家媒体朋友们出席了本次盛会。

开幕式上，论坛程序委员会主席、厦门大学校长张荣教授首先介绍了本届论坛的组织情况，并向为论坛筹备建言献策的各位专家表示衷心的感谢。

 

        产业的发展离不开各方的支持，科技部一直致力于推动我国科技创新以及战略性新兴产业的发展，并制定了诸多支持性的政策。科学技术部高新司副司长曹国英为大会致辞，并对论坛的召开表示祝贺。他表示，国家层面在积极部署发展第三代半导体，无论是产业的发展还是技术的发展，不仅仅取决于创新的深度和高度，创新的广度也非常重要，要充分调动社会方方面面的创新资源，逐渐形成产业集群式发展。从战略角度来看，更要考虑如何通过第三代半导体实现在电子材料方面实现一个跨越。

       深圳是我国LED产业的创新前沿地带，作为本届论坛的主办方龙华区不断加大对第三代半导体发展的支持力度，并逐渐成长为国内第三代半导体发展的重要势力。深圳市龙华区常务副区长张纳沙在致辞中表示，目前，广东省在争创产业发展的新优势，深圳市出台新兴产业发展的相关政策，加快第三代半导体，人工智能等重点领域的布局，作为粤港澳大湾区、广深科技创新走廊的核心区域，龙华区将继续通过科技创新政策等各种保障措施大力发展半导体照明、第三代半导体等先进产业，促进产业转型升级。

 

        开幕式上， 2018中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛南部赛区及国际赛区结果揭晓，并举行了隆重颁奖仪式。本次大赛的国际及南部赛区决赛由第三代半导体产业技术创新战略联盟、深圳市龙华区人民政府联合主办，深圳第三代半导体研究院、深圳市龙华区科创局承办。经过激烈角逐，本次共9个国内外项目从两大赛区的决赛中脱颖而出，成功晋级全球总决赛。美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授、诺贝尔物理学奖获得者中村修二，国家科学技术部高新技术及产业化司副司长曹国英、深圳市人民政府副秘书长刘佳晨，广东省科技厅党组成员、副厅长李旭东，深圳市龙华区政府常务副区长张纳沙，国家节能中心副主任杨博，科技部火炬中心处长李志远，科技部高新司材料处副处长孟徽，深圳第三代半导体研究院院长赵玉海分别为获奖单位颁奖。

 

       接下来的开幕大会主题论坛环节，五大重量级报告亮点频出，北京大学理学部主任、教授沈波与伦斯勒理工学院教授，照明系统及应用中心主任Robert F. KARLICEK共同主持了大会主题论坛第一部分。

        半导体照明是第三代半导体材料第一个成功的应用，已取得了巨大的成就，除了自身技术应用的不断发展，其在不同应用以及与不同技术的结合更有着巨大的发展空间。美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授、2014年诺贝尔物理学奖得主中村修二带来了“LED现状与未来半导体照明”的主题报告，分享了包括Micro LED、UVLED、激光LED等领域的最新研究成果。

       今年以来，世界范围内贸易形势的变化也给我国半导体产业带来不小的挑战，行业企业面临着新的产业生态变化，也有更多深层思考。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲带来了“开放创新 合作共赢” 的精彩报告。

 

       立足国际产业发展形势，从全球视角，全面分析了当前包括LED、微波射频、电力电子等第三代半导体发展的现状与趋势，面临的机遇与挑战，以及面向未来的战略与思考。她同时表示，半导体照明将进入成熟期，增长速度放缓，超越照明成为主要增长动力。第三代半导体功率器件市场拐点已经到来，未来5-10年将高速增长，国际竞争态势严峻，技术创新和市场导入至关重要。

        技术快速发展，国内外政治经济形势变化加剧有目共睹，把握产业发展脉搏才能更好的迎接未来。紧扣当前产业发展形势，本届大会特别设置了“新形势下国际半导体技术产业生态高层对话”，深圳第三代半导体研究院院长赵玉海,河北半导体研究所副所长蔡树军,华灿光电股份有限公司总裁刘榕,木林森股份有限公司执行总经理林纪良,英飞特电子（杭州）股份有限公司董事会主席华桂潮,阳光电源股份有限公司副总裁赵为,中航国际投资有限公司总经理宋兵等来自不同环节的精英代表齐聚一堂，围绕着当前国际半导体产业大环境，构建良性产业生态等议题，展开深度对话，多维度探讨了新形势下产业发展走向和应对策略。论坛程序委员会主席、厦门大学校长教授张荣主持了这一对话环节。

 

       以氮化镓碳化硅为代表的第三代半导体技术的发展是国际关注的热点，在大会主题论坛的第三部分，围绕着相关技术发展，专家们带来了精彩的主题报告，深圳第三代半导体研究院副院长张国旗与欧洲广电产业协会秘书长Carlos LEE共同主持了这一部分。

 

        第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大。谁掌握着技术的高地，谁就拥有更多的话语权。美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm董事长Umesh K. MISHRA做了题为“GaN技术带来突破性能量转化效率及射频应用新格局”的主题报告，分享了GaN技术的进展，及射频应用格局的变化。

        碳化硅被半导体界公认为“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分，由于材料质量的制约，其制造与商业化问题一直备受关注。PowerAmerica执行副总裁兼首席技术官，美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor VELIADIS做了题为“碳化硅功率器件：制造与商业化之路”的主题报告，带来最新的技术进展和前景趋势分析。

 

        氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，其技术发展对半导体光电器件具有重要意义。英国谢菲尔德大学教授王涛做了“从非极性和半极性氮化镓探索将来半导体光电器件”的主题报告，分享了氮化镓技术的进步对光电半导体器件发展带来的影响。